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2021年記憶體景氣及市場之供需概況

發行日期:2021/07/19
資料來源:華南投顧
資料整理:股科小編

一、DRAM

SK海力士(SK Hynix)於2020年10月推出全球首款DDR5 DRAM產品之後,美光(Micron) DDR5也已進入送樣階段,至於三星電子(Samsung Electronics)與英特爾(Intel),預期會在2021年轉向DDR5。這意味2021年DDR5量產將增加,並且於2022年成為市場主流產品。海力士不僅搶先三星電子、美光一步,南韓半導體業者也成功搶佔未來記憶體市場的有利位置。


全球DRAM廠顯然仍是三強鼎立的狀況。三大原廠包含兩間韓廠及一間美廠占了全世界約95%的產能。因此三大廠也掌控了上游的合約價的漲跌勢。市占方面,三星約 43.5%、SK 海力士為 30.1%,美光則是 21%。


DRAM價格在2020年底落底後,買方庫存壓力與供過於求的市況已逐漸恢復平穩。隨著價格逼近歷史低點,買方採購意願亦逐漸由被動轉為積極,疫情衍伸的新生活常態上雲動能持續推動下,資料中心需求在2Q21後已陸續增溫,且此需求力道將延續至下半年,進而挹注整體伺服器市場的成長動能。

二、NAND Flash

與DRAM三強鼎立的狀態不同,NAND Flash是由世界6大廠商爭鳴的狀況。2020年來看市占排名並沒有很大的變化,而營收的增加最大的則是SK海力士,主因隨著資料中心需求暢旺,Enterprise SSD出貨量翻倍,推升位元出貨量季成長達 12%。


全球3D NAND堆疊製程競爭越演越烈,繼美光、SK海力士從2020年底搶先發表新一代176層3D NAND後,鎧俠和威騰也推出162層3D NAND。隨著3D NAND層數增加導致單串堆疊難度面臨技術瓶頸,三星是全球各家記憶體原廠中最後一個仍採用單串堆疊技術生產3D NAND的業者,但在128層NAND製程量產後,即將推出量產的第七代V-NAND預料可望首次改為多串堆疊做法。


儘管其他NAND Flash原廠急起直追,短期內仍難以撼動三星自2002年以來就持續蟬聯的NAND Flash龍頭位置,三星仍舊掌握了市場秩序的話語權,除了NAND Flash新廠投入將擴大產能規模差距,三星2021年也勢必將持續提升128層NAND Flash佔比,發揮既有的成本競爭力優勢。而未來三星在主導市場價格的態度是否將轉趨積極,將是牽動整體NAND產業走向的關鍵。

三、NAND Flash供需狀況

NAND受到產能供給過剩疑慮,2020年下半以來價格持續低迷,儘管2Q21SLC NAND及MLC NAND合約價止跌回升約5~10%,但整體合約價格仍處於持平止跌的狀況,反而SSD等相關成品受到主控晶片供應吃緊,以及相關零料件成本上揚,帶動終端大容量SSD價格調漲。前陣子奇亞幣帶動挖礦風潮,大容量SSD應用需求暴增,多家記憶體模組廠拉貨動能呈現倍數暴增,隨著2TB以上SSD需求炙手可熱,512Gb及1Tb NAND晶片成為應用大宗,在NAND應用出海口增加帶動下,上游原廠正醞釀3Q21將調漲價格達1成,形成下半年NAND供需吃緊的局面。


全球下半年陸續進入解封階段,消費電子產品的成長性是否能夠延續得再觀察。以第3季來看,資料中心、伺服器用記憶體需求最佳,主要也因為英特爾伺服器平台的更新,帶動主流規格包括暫存器記憶體(R-DIMM)32/64GB、伺服器用SSD等需求,估計該領域DRAM、NAND Flash將價量齊揚。

四、DRAM 供需狀況

南亞科除了擁有從DDR到DDR4、LPSDR到LPDDR4X完整的產品組合外,在製程節點上也已大量導入20奈米,且擁有成熟穩定的良率,目前利基型DRAM占營收比重超過六成,其中又有近15%來自於車用。2Q21的DDR3營收占比更是來到50%左右。


華邦電在車用領域深耕超過十年,儘管三大原廠的製程技術較為領先,但其擁有多數競爭者所不具備的產品線優勢,從利基型及行動式DRAM、NOR Flash、SLC NAND、到組合式MCP,產品組合相當完整。憑藉長期鎖定在生意穩定且獲利較高的前裝車用市場,華邦電車用相關業務已占記憶體總營收10%以上且持續成長。


受到上游原廠產能供應有限,2021年以來DRAM價格漲幅強勢,尤其以DDR3漲勢最為凌厲,由於供給吃緊,從2020年底至2Q21,利基型DRAM價格調漲已達1倍以上,原本供應商看好利基型DRAM價格將可一路調漲至年底,但2Q21價格已提前達到年底的目標價。儘管DDR3價格提前在上半年快速調漲,下半年漲幅將可望趨緩,但由於部分客戶採取半年長約,預料3Q21仍有部分長單客戶才要反應漲價效應。


預估2021下半年起,晶圓代工產能逐漸上線後,可望紓解部分晶片荒,也更進一步刺激記憶體與儲存裝置的需求。從長期觀點來看,估計DRAM位元需求成長複合年增率介於14~19%,至於NAND位元需求複合年增率約30%。在DRAM位元出貨量成長20%前提下,預期2021年全球DRAM市場規模年增上看36%。

五、NOR Flash 供需狀況

近年來大容量NOR Flash已經從65奈米往50奈米,小容量NOR Flash則停留在65奈米或是更落後的製程。TWS容量以Apple的AirPods pro對NOR Flash使用量最高來到256Mb,包含一般版的128Mb,其餘廠商的TWS產品容量需求大部分在16Mb到64Mb間,目前也有越往高密度的趨勢。IoT多屬封閉的嵌入式系統, NOR Flash需求容量都不大,多集中在8/16/32Mb。而AMOLED為了控制顯示品質的一致性,面板廠會透過De-Mura的方式來維持一定顯示水準,需搭配1顆NOR Flash來儲存程式碼,目前使用4/8Mb為主。


在產能供給部分,由於中國NOR代工產能遭擠壓,在產能有限下,中國市場NOR價格已高於整體市場平均價格,且不足以滿足中國內需市場,在兩岸價格差距達20~30%幅度下,華邦電將擴大搶進中國市場。


NOR漲勢雖然不如利基型DRAM,但相較於2020年下半,在逐季調漲的趨勢下,至2Q21累計漲幅也達到5~6成。尤其在晶圓代工價格持續攀高之際,邏輯晶片與NOR價差可能拉大,將不利於NOR產能供應,雖然市場價格不可能無限制上漲,但NOR缺貨情況將至少持續2年。

 

六、NAND&NOR Flash 總結

受到上游產能擴充有限,NOR Flash供應吃緊將延續年底,尤其是下半年進入消費電子旺季,蘋果iPhone 13(暫名)拉貨動能逐步加溫,加速高階手機搭載OLED面板比重成長、TWS提升規格及5G應用陸續推動,有望支撐2022年NOR產業持續成長。


2021年NAND供應將以控制晶片搭配為主要出海口,包括手機,PC OEM及資料中心等,NAND大廠集中資源供應給高容量SSD產品,而小容量的嵌入式eMMC遭到供應鏈棄守後,包括機上盒、穿戴裝置、物聯網應用及4G中低階手機產品將首當其衝。台廠中則以出主控晶片及整個NAND模組的群聯受惠最豐,加上公司自今年起已有2波的漲價,預期今年營收及獲利都能創新高。


若美國商務部將長江存儲列入出口管制實體清單,有助NAND Flash市場供需狀況,甚至助漲價格,對記憶體模組廠威剛、十銓、宇瞻等有利,甚至生產3D NAND的旺宏營運亦可望因此受惠。長江存儲主攻高容量3D NAND,目前主要生產64層與128層3D NAND Flash,月產能約5萬片;據研調機構TrendForce 指出,以位元數計算,長江存儲在全球NAND Flash市占,今年將達3.8%,且傳出其正進行擴產,下半年產能將翻倍,明年市占率可望擴增至6.7%。

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